半导体产业研究

个人感觉高功率，快速反应的半导体材料是一个方向，高功率脉冲技术使用的开关元件都是气体火花器，通过击穿气体达到瞬间的大功率控制。但是噪音很大，污染也大。而半导体材料却能在安静的情况下导通，没有辐射，没有污染，高功率半导体这应该是个方向。另外半导体激光技术，可以使激光器功率更大，更加小巧。还有半导体制冷，都是很好的研究方向。这应该使半导体的一写拓展领域，也是新型的领域。比较有前途的。个人看法，仅供参考：）

去百度文库，查看完整内容>内容来自用户:唐丽兰2018年功率半导体行业研究报告内容目录1驱动世界向更高效、更精密、更清洁的方向发展，功率半导体2022年市场规模可达426亿美元.................................................................................41.1功率半导体是电力控制的核心，驱动现代社会的电气化运作.........................41.2伴随着社会电气化程度的加深，功率半导体长远追求更高的功率密度与更低的功耗............................................................................................................................61.3受益于清洁能源、电动汽车与物联网的发展，预计2022年功率半导体市场规模可达426亿美元........................................................................................................82制造铸就地位、设计把握增长，长远看来IDM为大势所趋.................112.1前段晶圆制造决定产品性能，占据产业链核心话语权...................................112.2设计能力主导客户开拓，影响企业发展速度...................................................122.3设计、制造、封装三者协同，长远来看IDM为大势所趋.............................133进口替代空间打造独特竞争格局，短期内设计企业迎发展良机..........143.1国际巨头垄断国内市场，进口替代空间巨大........................................

半导体封装材料市场规模下滑中国集成电路产业的发展中，封装测试行业虽不像设计和芯片制造业的高速发展那样抢眼，但也一直保持着稳定增长的势头。特别是近几年来随着国内本土封装测试企业的快速成长以及国外半导体公司向国内大举转移封装测试能力，中国的集成电路封装测试行业更是充满生机。受行业整体不景气影响，去年全球半导体材料市场营收下滑显著，包括半导体封装材料。根据中国电子材料行业协会统计，2019年中国封装材料市场规模54.28亿美元，同比2018年的56.75亿美元下降4.35%。塑料是主要封装材料所谓“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。目前，集成电路行业的常用封装主要包括BGA 封装、BQFP 封装、碰焊PGA封装等在内的40余种封装类型，其中只有极少数运用除塑料封装之外的陶瓷和金属封装，塑料封装占整个封装行业市场规模的90%以上，而陶瓷和金属封装合并占比在10%左右。数据参考前瞻产业研究院发布的《中国集成电路行业市场需求预测与投资战略规划分析报告》。半导体产业非常广泛，从上世纪六十年代就是以全球性合作关系为基础全球分工合作，绝难分开去探讨地区性的现状，例如： 日本半导体产业领先全球专研各种制程辅料，非常关键性掌握住整个产业链的扼要位置，2019年就曾经与南韩来了一场化学材料"杀戮战"，所向披靡。所以中国面对半导体产业的现状必需依中央既定的全球性合作原则，不能光想着自主可控或摆脱外界制肘，尤其是内地的人才和科技管理技术尚在初始阶段，不能也不宜展开当霸主抢霸权，务必全球合作，切勿轻试与全球产业链供应链脱轨，后果堪虑。

五氟化砷.通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合,在晶片表面沉积上化合物掺杂剂,三氟化砷,进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅,将某种或某些杂质掺入半导体材料内,L S I(大规模集成电路)级.电子气体是特种气体的一个重要分支,以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率、大规模集成电路生产中是必要的 高纯氦主要用于半导体器件的生产 电子气体 (E lect ron icga ses) 半导体工业用的气体统称电子气体,三氟化磷,磷烷,VL S I(超大规模集成电路)级和U L S I(特大规模集成电路)级,可分为电子级,混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周纯氮气是半导体工业不可缺少的原料气和保护气 纯氩气在单晶硅的拉制,五氟化磷.掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体,埋层等. 掺杂气体(Dopant Gases) 在半导体器件和集成电路制造中.主要包括砷烷.特殊材料气体主要用于外延,电阻,三氯化硼和乙硼烷等;高纯气体主要用作稀释气和运载气.按其门类可分为纯气.电子气体按纯度等级和使用场合,用来制造PN结,高纯气和半导体特殊材料气体三大类,掺杂和蚀刻工艺，半导体

中国正在快速发展半导体产业，其对资金的渴求程度十分迫切。与此同时，我国半导体业也存在着较多亟待解决的问题，例如：国内半导体企业融资瓶颈突出，融资成本高，社会资本也因半导体产业投入资金量巨大，回报周期较长而缺乏投入意愿；另外，创新能力不强，人才匮乏，企业规模小，实力较弱；再有，适应产业特点的政策环境仍不完善。总体来看，“大基金”为先导，更侧重于国字号或准国字号的大项目，“政府主导”的意味更浓。而随着“大基金”的推进，以及产业的发展，成绩和问题逐步呈现了出来。目前，A股上市的半导体企业数量较少，且估值比较高。正因如此，科创板瞄准集成电路等领域，为半导体企业提供了相对宽松的上市环境和便捷的融资渠道，有利于促进国内半导体产业的发展，也有望将具有核心技术的半导体企业的估值水平提升到一个新高度。另外，从资本支出角度看，半导体作为战略产业，在逆周期依然可以加大投资，以三星为例，2018年，三星半导体支出280亿美元布局前沿技术，而我国的中芯国际资本支出20亿元左右，相比国际巨头，差距明显。所以，国产半导体企业要想跟上全球产业发展的脚步，研发和资本投入一定要跟上，特别是大量的民营半导体企业，更是需要长期、稳定的资本支持，而这正是科创板要做的。应对美国未来可能禁令，华为已开发一套操作系统根据《The Verge》报导，在接受德国媒体《世界报》访问时，华为消费者业务执行长余承东表示，他们已准备好自己的一套操作系统，如果不能再使用Android系统或Windows系统，他们也有应对方式。早在2012年美国调查华为及中兴通讯时，华为就已着手开发另一套系统以取代Android。现在华为正在与美国打官司，未来可能会面临无法从美国进口商品的情况，华为选在这个时候说出这项消息，说明他们已经做好准备。

面临着一些制造上的突破。前一段时间闹得很火的事情，美国以及公司为了抑制华为公司的发展，暂停向华为提供芯片的代工服务，这让华为一下失去了芯片的来源。我国的工业发展到今天已经算是很快了。我国在半导体的设计方面已经实现了突破，有些设计和研发几乎已经达到了先进的水平，而我国在一些半导体芯片的制造上却存在一些不足，我国自己的芯片制造厂商依靠自己的技术实现的芯片制造比世界上最先进的水平相比还差好几个档次。美国正是看到了我国的这一不足，采取禁止向我国华为公司提供芯片代工的技术，所以遏制了华为的发展。从这一个事件就可以看出，我们的不足不在于设计，不在于研发。我们在基础的制造上有很大的不足。所以这个就是我们目前面临的很大的问题，在半导体芯片的制造上没有自己的设备，所以这个是我们目前需要亟待解决的问题。国家看到这个问题之后也是很快出台了自己的措施，扶持半导体行业的发展，可能我们在一些研发上实现了一些突破，但是整体还是需要再次提高，针对我们国家半导体的发展，我们不要急于求成，技术是靠一点点积累起来的，所以我们要静下心来，脚踏实地，专注于我们的研发。当我们遇到问题也是一件好事，这也让我们看到了我们存在的不足，这个时候我们明白了我们应该做什么，有一个实现的目标，这就是很好的。对未来我国半导体的发展我们始终持积极的态度，任何苦难始终是难不倒自强不息的中国人民的，相信很快，在各种政策的扶持下，我们的半导体行业会很快发展起来。

中国半导体发展自新中国发展以来，积累了数代人的心血。曾经的努力与挫折，既奠定上中国半导体工业的基础，又被先进国家拉大了距离。回头再看这一个个中国半导体产业留下的脚印，相信在新的时代，中国的半导体产业会有新的发展。 　 1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。 　 1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。 　 1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。 　 1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。 　 1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 　 1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 　 1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 　 1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 　 1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 　 1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九0九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。 1998年1月18日，“九0八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸圆片的生产能力。 1998年1月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998年2月，韶光与群立在长沙签订LSI合资项目，投资额达2.4亿元，合资建设大规模集成电路（LSI）微封装，将形成封装、测试集成电路5200万块的生产能力。 1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998年3月16日，北京华虹集成电路设计有限责任公司与日本NEC株式会社在北京长城-饭店举行北京华虹NEC集成电路设计公司合资合同签字仪式，新成立的合资公司其设计能力为每年约200个集成电路品种，并为华虹NEC生产线每年提供8英寸硅片两万片的加工订单。 1998年4月，集成电路“九0八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998年6月，上海华虹NEC九0九二期工程启动。

美国并未刻意进行半导体产业链布局，而是有领导厂商包括各大自主IDM品牌, 经过六十多年以来，应用商业模式的推动全球伙伴合作，才能处於主导地位。