考研电子科大科目

目前，电子科大管理学院拥有管理科学与工程、企业管理、新兴技术管理、信息管理与电子商务、金融工程五个博士点，管理科学与工程、企业管理、数量经济学、信息管理与电子商务、新兴技术管理、技术经济及管理、金融学、区域经济学、金融工程九个硕士点和高级管理人员工商管理硕士（EMBA）、工商管理硕士（MBA）和国际工商管理硕士（IMBA）、项目管理专业工程硕士等专业学位的硕士授予权。其中管理科学与工程和企业管理两个学科点是四川省重点学科，数量经济学学科点是信息产业部重点学科。请看看成电的招生简章，在成电的网站上有。

以下是2008年电工入学考试大纲电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目 836信号与系统和数字电路 考试层次 √ 博士入学√ 硕士入学 考试时间 180分钟 总分 150分 参考书目 SIGNALS AND SYSTEMS A.V.Oppenheim 电子工业出版社脉冲与数字电路 万栋义 电子科技大学出版社脉冲与数字电路 王毓银 高等教育出版社信号与系统 何子述 高等教育出版社信号与系统分析 张明友 电子工业出版社信号与系统复习考研例题详解 张明友 电子工业出版社 2001年 考试范围：《信号与系统》部分（60％） 熟练掌握信号的定义和分类，信号的基本运算，奇异信号的概念和运算性质；熟练掌握系统的定义，系统的性质。 了解线性时不变系统的数学描述、零输入响应和零状态响应的概念；熟练掌握系统冲激响应的定义及对系统特性的描述；能熟练进行卷积和、卷积积分计算，熟练掌握卷积的运算性质。 深刻理解连续时间信号傅立叶级数分解和傅立叶变换的物理意义，熟练掌握和能灵活应用傅立叶变换的性质；掌握系统频率响应定义及相关概念；熟练掌握信号的滤波、调制、采样、恢复及采样定理等理论；掌握希尔伯特变换。 掌握双边拉氏变换的定义、收敛域的概念、傅氏变换与拉氏变换的关系；熟练掌握双边拉氏变换的性质；熟练掌握连续时间系统函数及与系统特性的关系；能熟练地用双边或单边拉氏变换理论求系统（和电路）响应；熟练掌握连续时间系统的方框图描述；能根据系统函数建立连续时间系统状态方程。 掌握双边z变换的定义和收敛域概念，熟练掌握双边z变换的性质；熟练掌握离散时间系统函数及与系统特性的关系；能熟练地用双边或单边z变换求系统响应；熟练掌握离散时间系统的方框图描述；能根据系统函数建立离散时间系统状态方程。《数字电路》部分（40％）一、大纲依据： 根据“数字逻辑设计及应用”课程教学大纲有关要求和有关专业技能培养目标的需求为依据设定。二、大纲内容： 主要包括数字电路基础知识、概念与定理体系；组合电路、时序电路分析与设计；综合分析与应用三大部分。1、数字电路基础知识、概念与定理体系（20%）主要考评考生对于数字电路基础知识、概念的理解掌握程度以及对数字逻辑定理体系的掌握与运用能力。主要内容有：二进制数的表达、转换与运算；逻辑函数的基本表达方式及相互的转换；数字逻辑定理的表述、证明和运用；组合逻辑最简表达与静态冒险问题；组合电路、时序电路的基本特性等。2、组合电路、时序电路分析与设计（50%）主要考评考生对以逻辑门、基本时序元件为基础的数字组合电路、时序电路分析设计的基本技能的掌握程度，分析、设计过程的规范表达能力。主要内容有：以逻辑门、基本时序元件为基础的数字组合电路、时序电路分析；利用逻辑门、基本时序元件完成规定电路功能的设计；分析、设计过程的规范表达；常用数字逻辑功能单元电路（如译码器、编码器、数据选择器、比较器、加法器、计数器、移位寄存器等）的基本运用等。3、综合分析与应用（30%）主要测试考生利用指定数字电路功能模块设计出能完成预定任务要求的电路的能力或分析指定电路所实现的功能。主要内容有：常用数字逻辑功能单元电路（如译码器、编码器、数据选择器、比较器、加法器、计数器、移位寄存器等）的综合应用。考试科目 841模拟电路 考试层次 √ 博士入学√ 硕士入学 考试时间 180分钟 总分 150分 参考书目 模拟电路分析与设计基础 吴援明 科学出版社 2006年 第一章 半导体材料及二极管一、了解半导体的基本知识 本征半导体与杂质半导体（P型与N型）；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多子与少子；漂移电流与扩散电流的概念；PN结的形成（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；PN结的单向导电特性；不对称PN结。二、掌握二极管的基本知识 二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程；二极管伏安特性曲线及其温度特性；二极管导通电压与反向饱和电流；二极管的直流电阻与交流电阻（估算式）；硅管与锗管的区别。三、二极管应用 掌握单向导电特性应用：整流与限幅。能分析简单二极管电路。 正向导通特性应用：恒压源模型及小信号模型。 反向击穿特性及应用：了解反向击穿现象；掌握稳压管工作原理及电路。 了解电容效应及应用：势垒电容与扩散电容；变容二极管原理。第二章 双极型晶体三极管（BJT）一、理解BJT工作原理 NPN与PNP管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系（掌握直流传输方程，，，ICBO，ICEO的概念）；放大偏置时的vBE、vCE的作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应）；BJT的截止与饱和状态及特点。二、BJT静态伏安特性曲线 理解共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。三、BJT参数 理解、、、、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO和fT的含义四、混合模型 理解完整模型和了解模型参数的物理含义。 熟练掌握两种简化模型（gm参数和参数模型）及其模型参数的计算方法。第三章 BJT放大电路一、理解放大器的一些基本概念 信号源（内阻，源电压，源电流）；负载电阻；输入输出电压（电流）；耦合电容与旁路电容；直流通路与交流通路；交流地；工作点；小信号放大的波形演示。二、熟练掌握BJT偏置电路的分析和设计方法 工作点的估算；直流负载线；稳基流电路；基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。三、BJT三种基本组态放大器（中频段） 熟练掌握小信号放大器指标及其意义：端增益、源增益、输入与输出电阻。 掌握CE、CC、CB放大电路、指标及特点；熟练掌握等效电路分析法。 掌握CE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法；理解截止失真与饱和失真。四、多级放大器 理解级间耦合方式；了解直流放大器的特殊问题；掌握放大器通用模型；掌握多级放大器指标计算。第四章 MOSFET及其放大电路一、FET原理 了解FET的分类、电路符号；了解N沟道增强MOSFET的工作原理及N沟道JFET；放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。二、FET特性曲线 以N沟道增强型MOSFET为重点，理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。三、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置） 掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。四、FET的小信号模型 理解gm的含义及计算式，理解rds含义、完整小信号模型；掌握低频小信号模型。五、FET的CS和CD组态放大器 熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。第五章 放大器的频率响应一、放大器频率响应的概念及描述 掌握产生频率响应的原因；理解放大器频率特性函数，掌握fL、fH、BW的定义；理解幅频特性和相频特性函数；了解频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真的区别；了解对数频率特性曲线波特图的概念。理解放大器的增益函数、零、极点。二、掌握放大器的低、高频截止频率的估算 用短路时间常数法估算fL；用开路时间常数法估算fH。第六章 模拟集成单元电路一、恒流源 熟练掌握恒流源电路的原理、模型及主要指标；理解基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点；熟练掌握有源负载放大器工作原理。二、熟练掌握差动放大器的工作原理和分析方法 差放的信号分解（vic、vid与任模信号关系）；各种差放电路；差放工作点估算；差放的指标（Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric，Ro）及用单边等效电路法求指标，差放抑制零漂的原因；了解差放的小信号范围、大信号限幅特性及频率特性。三、功率输出电路 了解功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点；理解乙类功放的交越失真及克服方法。 掌握互补功放的电路原理及满激励指标（效率、管耗、电源功率）的计算；理解功率管极限参数（ICM，PCM，BVCEO）；理解复合管的连接方式。第七章 负反馈技术一、单环理想模型 理解基本概念：原输入xs、净输入xi和反馈信号xf；A放大器、B网络；开环增益A与闭环增益Af；反馈系数B；反馈深度F；环路传输系数T；基本反馈方程；正反馈与负反馈；深度负反馈。四种反馈类型及其双口网络模型。二、掌握反馈放大器类型及极性的判断三、理解负反馈的效果 理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减小非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用。四、掌握A、B电路分析法和负反馈放大电路交流参数的计算；熟练掌握深负反馈条件下Af和Avsf的计算。五、负反馈放大器的稳定性 理解产生自激振荡的原因和自激条件；了解用已知的T(j)和A(j)的波特图判断稳定性的方法；了解稳定裕量的计算方法；了解自激振荡的消除方法。第八、九章 集成运算放大器及其应用电路与设计一、了解集成运放电路组成及特点，理解放大电路的四种模型。二、了解集成运放的主要参数：Avd，KCMR，Rid，Ro，BWG，SR，VIO，dVIO/dT，Iio，dIIO/dT三、熟练掌握理想运放分析法 虚短路与虚开路法则；理想运放分析法成立的原因；两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。四、掌握运放的线性应用电路的分析和设计方法 代数和运算电路；差动放大器；积分器与微分器；了解线性应用电路（有源滤波器、振荡器、比较器、波形发生器等）。考试科目 813电磁场与电磁波 考试层次 √ 博士入学√ 硕士入学 考试时间 180分钟 总分 150分 参考书目 电磁场与电磁波(第四版) 谢处方 高等教育出版社 2006年 绪论第1章 矢量分析1.1 矢量代数1.1.1 标量和矢量，1.1.2 矢量的加法和减法，1.1.3 矢量的乘法1.2 三种常用的正交坐标系1.2.1 直角坐标系，1.2.2 圆柱坐标系，1.2.3 球坐标系1.3 标量场的梯度1.3.1 标量场的等值面，1.3.2 方向导数，1.3.3 梯度1.4 矢量场的通量与散度1.4.1 矢量场的矢量线，1.4.2 通量，1.4.3 散度，1.4.4 散度定理1.5 矢量场的环流与旋度1.5.1 环流，1.5.2 旋度，1.5.3 斯托克斯定理 1.6 无旋场与无散场1.6.1 无旋场，1.6.2 无散场1.7 拉普拉斯运算与格林定理1.7.1拉普拉斯运算，1.7.2 格林定理1.8 亥姆霍兹定理第2章 电磁场的基本规律2.1 电荷守恒定律2.1.1 电荷及电荷密度，2.1.2 电流及电流密度，2.1.3 电荷守恒定律与电流连续性方程2.2 真空中静电场的基本规律2.2.1 库仑定律 电场强度，2.2.2 静电场的散度与旋度2.3 真空中恒定磁场的基本规律2.3.1安培力定律 磁感应强度，2.3.2 恒定磁场的散度与旋度2.4 媒质的电磁特性2.4.1电介质的极化 电位移矢量，2.4.2磁介质的磁化 磁场强度，2.4.3 媒质的传导特性2.5 电磁感应定律和位移电流2.5.1 法拉第电磁感应定律，2.5.2 位移电流2.6 麦克斯韦方程组2.6.1 麦克斯韦方程组的积分形式，2.6.2 麦克斯韦方程组的微分形式，2.6.3 媒质的本构关系 2.7 电磁场的边界条件2.7.1 边界条件的一般形式，2.7.2 两种特殊情况下的边界条件第3章 静态电磁场及其边值问题的解3.1 静电场分析3.1.1 静电场的基本方程和边界条件、3.1.2 电位函数、3.1.4 静电场的能量3.2 导电媒质中的恒定电场分析3.2.1 恒定电场的基本方程和边界条件、3.2.2恒定电场与静电场的比拟3.3 恒定磁场分析3.3.1 恒定磁场的基本方程和边界条件、3.3.2 矢量磁位和标量磁位、3.3.3 电感、3.3.4 恒定磁场能量3.4 静态场的边值问题及解的惟一性定理3.5 镜像法3.5.1 接地导体平面的镜像、3.5.2 导体球面的镜像3.6 直角坐标系中的分离变量法第4章 时变电磁场4.1 波动方程4.2 电磁场的位函数4.3 电磁能量守恒定律4.4 惟一性定理4.5 时谐电磁场第5章 均匀平面波在无界空间中的传播5.1 在理想介质中均匀平面波5.2 电场波的极化5.3 均匀平面波在导电媒质中的传播第6章 均匀平面波的反射和透射6.1 均匀平面波对分界平面的垂直入射6.3 均匀平面波对理想介质分界平面的斜入射6.4 均匀平面波对理想导体平面的斜入射第7章 导行电磁波7.1 导行电磁波概论7.2 矩形波导第8章 电磁辐射8.1 滞后位8.2 电偶极子的辐射基本要求：① 理解梯度、散度和旋度的概念，掌握其运算方法与规律。② 理解电荷、电流及电流连续性方程的概念，理解电场和磁场的概念，掌握电场强度与磁感应强度的积分公式，会计算一些简单源分布所产生的场。③ 掌握静电场的基本方程与基本性质，掌握标量电位及其微分方程，理解静电场的惟一性定理及其重要意义，了解电介质的极化现象及其极化电荷分布，掌握静电场的边界条件，掌握恒定电场的基本方程与边界条件，会计算电容、电阻以及电场能量。④ 了解分离变量法解题的基本步骤， 能够用分离变量法求解直角坐标中的一些简单的二维边值问题，掌握镜像法解题的基本原理，会用镜像法求解一些典型问题。⑤ 掌握恒定磁场的基本方程与基本性质，了解矢量磁位及其微分方程，理解静电场的惟一性定理及其重要意义，了解磁介质的磁化现象及其磁化电流分布，掌握恒定磁场的边界条件，会计算电感以及电场能量。⑥ 掌握电磁感应定律以及位移电流的概念，牢固掌握麦克斯韦方程并理解其深刻含义，掌握电磁场的边界条件，理解坡印廷定理意义和坡印廷矢量的概念，了解电磁波动方程和动态位。⑦ 掌握正弦电磁场复数表示方法，掌握平面电磁波在理想介质和导电媒质中的传播规律，理解电磁波的极化概念，掌握平面波在两种不同媒质分界面上的反射与折射规律。⑧ 了解导行电磁波的分析方法，掌握电磁波在矩形波导中的传播特性。⑨ 理解滞后位的概念，理解电偶极子的辐射特性。到研招网输入电子科技大学即可找到

电磁场与电磁波，主要是我们研究生没有这个专业啊本科有

您好！很高兴为您解答！看你考什么专业了，一般都是有四门课目。两门公共课，两门专业课。公共课是政治和英语（考英语专业的该科目换做日语或俄语），专业课各学校不同，在各院校的研究生招生简章上都有，你可以去电子科技大学研究生院网站或文都教育论坛去看一下去年的招生简章，你就知道考什么了。参考资料：文都资讯网什么意思啊，考研科目有很多啊，去电子科技大学官网上下载下招生简章看看吧，相信能找到你想要的资料的哦！

我是电子科大的，计算机嵌入式还是不错的，不过有些偏软，电工很不错，就业都非常好。关键还是看你选的导师。英语情况到不是特别重要，你动手能力强的话，导师都喜欢的。UESTC电子类专业，都要做 编程 硬件你很有理想但是问题不在点子上简单说明你学的专业，成绩 ==名校差专业也比 211 特好专业(ˇˍˇ） 有梦就有 薪资 UESTC这个会满足你的

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1、电子科技大学的微电子专业是非常好的，论实力而言，该是全国前几吧 曾经有位该学院的教授说过：我们教研室毕业的研究生还没有月薪低于9k的。。。 但是这个专业不太好考，去年是电子科大收分最高的专业 另外初试考晶体管原理，不知道楼主学过没有 2、各个学校开设的专业侧重都不同，这个你没有跟人家讨价的余地，如果不想考，只有换个学校了；建议楼主还是不要考电子科大物电学院、物理专业的研究生，不是很好，可能微波方向还好些，其他就不多说了。。。 如果你决定了要考该学校该专业，你自然要赶快查查人家用什么教材，尽量去搜集些课件、考题的资料,赶快开始自学才好 3、前一位回答者让去电子科大论坛，我很遗憾的告诉诸位，电子科大微固学院所在的公寓内网是无法通过外网访问的，清水河畔那里貌似也只有微固研一的，还不知道他们能不能进那个bbs；而且清水河畔新建不久，资源很少，人气不佳。。。 可以试试这个网站http://bbs.kaoyan.com/forum-84-1.html，或许还能得到些有用的东西

电子科大的电子类，计算机专业在西南地区应该都是最好的，电子类更是在全国十分有名，就业率也很高，考电子科大是个不错的选择。电子科技大学当然好，考研嘛，现在的形势，如果你实力够厚，基础好的话就选重点学校重点专业，稍差一点，就考重点学校一般专业；一般的话就考一般学校。重点竞争很激烈，报考的人多，但毕业也有一定优势。看你怎么考虑了

有两种选择：数模电或者微电子器件数模电：《数字设计——原理与实践》(第四版) John F.Wackerly 机械工业 出版社 2007年/《模拟电路基础》 刘光祜 电子科技大学出版社微电子器件：《晶体管原理与设计》(第二版) 陈星弼 电子工业出版社