导师姓名：胡文成性别：男出生年月：1967年03月 职称：教授学位：博士属性：专职电子邮件：huwc@uestc.e.cn个人简介：现为中国电子

导师姓名：刘颖力性别：男出生年月：1968年02月职称：教授学位：博士属性：专职电子邮件：lyl@uestc.e.cn学术经历：长期在电子科技大学电子材料工

导师姓名：钟朝位性别：男出生年月：1966年09月职称：高级工程师学位：硕士属性：专职电子邮件：cwzhong@uestc.e.cn学术经历：中国特陶学会理

导师姓名：张鹰性别：男出生年月：1954年10月职称：教授学位：硕士属性：专职 个人简介：1984年由成都电讯工程学院电子材料专业研究生毕业，获硕

导师姓名：李威性别：男出生年月：1959年09月职称：教授学位：学士属性：专职电子邮件：liwei@csmsc.com学术经历：2002年至今，任四川大学

导师姓名：张国俊性别：男出生年月：1960年10月职称：教授学位：学士属性：专职电子邮件：zgj@uestc.e.cn学术经历：先后在功率器件工艺线和CM

导师姓名：夏建新性别：男出生年月：1963年04月 职称：教授学位：博士属性：专职 个人简介：1984年7月毕业于四川大学物理系，获理学学士学位。1987年6月从西安交通大学电子工程系毕业，获工学硕士学位。1987年6月至1995年10月在电子科技大学微电子所工作，从事功率电子学方面的研究。1990年3月晋升讲师。1995年10月至1999年11月在日本大阪大学留学，从事超大规模集成电路工艺方面的研究。1999年9月在大阪大学电气工程系获工学博士学位。2000年1月至今在电子科技大学微电子所从事超大规模集成电路工艺和功率电子学方面的教学、研究工作。2000年6月晋升为教授。研究兴趣主要在功率电子学和超大规模集成电路工艺两个方面。曾长期从事功率MOS器件方面的研究，先后参加了包括七五攻关项目、自然科学基金重点项目在内的六个科研项目的研究工作，完成的科研课题"矩形槽栅功率MOS晶体管"和"高压器件的电阻场板、钝化膜与表面横向变掺杂终端技术"分别获电子部科技进步三等奖。从一九九五年十月开始，从事超大规模集成电路工艺研究，重点在集成电路可靠性、超浅结形成及其工艺模拟、离子注入缺陷和杂质原子的相互作用等方面。有多篇论文在J.Appl.Phys.、Jpn.J.Appl.Phys、TheTransactionsofIEICE、InternationalElectronDevicesMeeting等杂志和国际会议文集上发表。联系电话：028-83201963硕士招生专业080903微电子学与固体电子学01方向：新型功率半导体器件与集成电路和系统07方向：新型固体器件与应用

导师姓名：何为性别：男出生年月：1957年09月职称：教授学位：硕士属性：专职电子邮件：heweiz@uestc.e.cn学术经历：1990.9-1992.

导师姓名：唐先忠性别：男出生年月：1963年12月 职称：教授学位：博士属性：专职电子邮件：txzhong@uestc.e.cn个人简介：198