个人简历：1970年生，东南大学信息科学与工程学院（原无线电工程系）副教授，电路与系统专业博士，硕士研究生导师。1987年免试进入南京理工大学光电技术系学习，1991年获学士学位。分别于20

个人简历：1997年7月获得上海交通大学电路与系统专业博士学位。1997～1999年在中国科学技术大学通讯与电子学专业从事博士后研究。1999～2002年3月在中兴通讯南京研究所

简历：常昌远，男，2000年东南大学微电子专业博士毕业，现为东南大学副教授，硕士研究生导师。长期从事微电子和自动控制领域内的教学、科研和指导研究生工作。参加过国家自然科学基金重点

个人简历：1953年6月出生，1978年毕业于南京工学院（东南大学）无线电工程系并留校任教至今。曾参加高教出版社等出版的三本教科书的编写和翻译；发表论文十多篇；参与编写的两本面向21世纪课程

个人简介：1954年5月出生。1973-1977年就读于南京工学院无线电工程系，毕业后留校任教，1978-1981年攻读同系硕士；1982年赴同济大学任教；1984年派赴德国波鸿鲁尔大

姓名：孙伟锋性别：男民族：汉出生年月：1977年5月学历：博士职称：副教授工作部门：PowerIC研发部职务：PowerIC研发部负责人联系地址：南京东南大学国家ASIC工程中心邮政编码：210096联系电话：84502190电子邮箱：swffrog@seu.e.cn个人经历：近5年来，先后参加国家"863"项目3项，参加江苏省及南京市项目4项；先后主持项目4项；在IEEETransElectronDevices等国内外权威杂志上发表论文30余篇，其中被SCI收录8篇，EI收录20余篇；申请国家专利33项，其中16项获得了授权；硕士论文被评为2003年江苏省优秀硕士论文，现为IETCircuits,Devices&Systems期刊的审稿人。主要研究方向：功率器件、功率集成电路及低温集成电路设计，集成电路的可靠性研究。主要参加及主持的项目(8项)：[1]江苏省十五科技攻关项目——《PDP驱动电路及系统》，研究经费70万元；[2]国家”863”项目——《智能功率集成技术研究》，研究经费70万元；[3]国家”863”项目——《高压驱动电路模块》，研究经费150万元；[4]国家”863”项目——《高压驱动电路模块》滚动，研究经费700万元；[5]总装项目，研究经费70万元；[6]无锡华润上华的合作项目，研究经费50万元，已经到款20万元；[7]11所合作项目，研究经费25万元，已经到款20万元；[8]44所合作项目，研究经费70万元；科研项目：功率器件、功率集成电路及低温集成电路设计，集成电路的可靠性研究等。主要发表的论文（16篇）：[1]WeifengSun,HongWu,LongxingShi,YangboYi,HaisongLi,“On-resistancedegradationsfordifferentstressconditionsinhighvoltagepLEDMOStransistorwiththickgateoxide”,IEEEElectronDevicesLetter2007,28,(7):631-633(SCI，EI收录)[2]WeifengSun,LongxingShi,ZhilinSun,YangboYi,HaisongLi,ShengliLu,“High-voltagepowerICtechnologywithnVDMOS,RESURFpLDMOS,andnovellevel-shiftcircuitforPDPscan-driver”,IEEETransonElectronDevices.2006(4):891-896(SCI，EI收录)[3]WeifengSun,JianhuiWu,YangboYi,Lushengli,LongxingShi,“High-VoltagePowerIntegratedCircuitTechnologyUsingBulk-SiliconforPlasmaDisplayPanelsDataDriverIC”，MicroelectronicEngineering2004(71):112-118(SCI，EI收录，被引用3次)[4]WeifengSun,LongxingShi“Analyticalmodelsforthesurfacepotentialandelectricalfielddistributionofbulk-siliconRESURFdevices”Solid-StateElectronics2004(48):799-805(SCI，EI收录，被引用2次)[5]WeifengSun,LongxingShi“ImprovingtheYieldandReliabilityoftheBulk-SiliconHV-CMOSbyAddingaP-well”MicroelectronicReliability2005(45)：185-190(SCI，EI收录，被引用1次)[6]WeifengSun,YangboYi,ShengliLu,LongxingShi,“AnalyticalModelforthePiecewiseLinearlyGradedDopingDriftRegionofLDMOS”,ChineseJournalofSemiconctor,2006,27(6):976-981(EI收录)[7]WeifengSun,ZhilinSun,YangboYi,ShengliLu,LongxingShi,“GateBreakdownofHighVoltageP-LDMOSandImprovedMethods”,JournalofSoutheastUniversity,2006(1):35-38(EI收录)[8]WeifengSun,YangboYi,ShengliLu,LongxingShi“AnalysisontheSurfaceElectricalFieldofHighVoltageBulk-SiliconLEDMOSwithMultipleFieldPlats”ICSICT,Beijing,2004:353-356（ISTP,EI收录）[9]WeifengSun,YangboYi,JianhuiWu,LongxingShi,“DesignonDataDriverICforPlasmaDisplayPanel”，ASID’04,Nanjing,2004:447-450[10]WeifengSun,LongxingShi,“HighReliabilityHV-CMOSTransistorsinStandardCMOSTechnology”,IEEEIPFA,Singapore,2003：25-29（ISTP收录）[11]ZhilinSun,WeifengSun(Correspondingauthor)andLongxingShi,“Areviewofsafeoperationarea”,MicroelectronicsJournal,2006(37):661-667(SCI，EI收录).[12]ZhilinSun,WeifengSun(Correspondingauthor),YangboYiandLongxingShi,“StudyofthepowercapabilityofLDMOSandtheimprovedmethods”,MicroelectronicsandReliability,2006(46):1001-1005(SCI，EI收录).[13]ZhilinSun,WeifengSunandLongxingShi,“ModelingKirkeffectofRESURFLDMOS”,Solid-StateElectronics,Volume49,Issue12,December2005:1896-1899(SCI，EI收录).[14]ZhilinSun,WeifengSun,YangboYi,ChangChen,WeilianYao,ZhenxiongPeng,LongxingShi,“PDPscandriverwithNVDMOSandRESURFPLDMOS”,PowerSemiconctorDevicesandICs,2005ProceedingsISPSD'05The17thInternationalSymposiumon23-26May2005Page(s):151－154(ISTP，EI收录).[15]孙伟锋，易扬波，陆生礼，“多场板高压体硅LEDMOS表面电场和导通电阻率的研究”，固体电子学研究与进展，2006(26):157-161(EI收录)[16]孙伟锋,易扬波,吴烜等,“一种新型凹源HV-NMOS器件研究”,固体电子学研究与进展,2004,24(3):286-290（EI收录）专利及奖相等授权的专利（16项）：[1]孙伟锋,胡晨,时龙兴,“平板显示的驱动芯片高压器件结构及其制备方法”,发明专利，专利号：ZL02112706.9[2]孙伟锋,宋慧滨,陆生礼,时龙兴,“高压P型金属氧化物半导体管”,发明专利，专利号：ZL02138393.6[3]孙伟锋,易扬波,陆生礼,时龙兴,“高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管”,发明专利,专利号：ZL02138394.4[4]孙伟锋，陆生礼，易扬波，孙智林，时龙兴,“横向P型金属氧化物半导体管”，发明专利,专利号：ZL03112627.8[5]孙伟锋，易扬波，陆生礼，宋慧滨，时龙兴,“内置保护N型高压金属氧化物半导体”，发明专利,专利号：ZL03112626.X[6]孙伟锋，陆生礼，吴建辉，易扬波，宋慧滨，时龙兴,“多电位场极板横向高压N型金属氧化物半导体管”，实用新型专利，专利号：ZL200420062099.X[7]孙伟锋，李海松，陆生礼，时龙兴，易扬波，“低功耗CMOS型高压驱动电路“，实用新型专利，专利号：ZL200420078208.7[8]孙伟锋,易扬波,时龙兴,“平板显示的驱动芯片用高压器件结构”,实用新型专利，专利号：ZL02219093.7[9]孙伟锋，陆生礼，茆邦琴，李海松，时龙兴，“双栅高压N型金属氧化物半导体管”，发明专利，专利号：ZL03158281.8[10]孙伟锋，易扬波，孙智林，时龙兴，“等离子平板显示器驱动芯片用的高压器件结构及其制备方法”，发明专利，专利号：ZL03158280.X[11]孙伟锋，李海松，陆生礼，时龙兴，易扬波，“低功耗CMOS型高压驱动电路“，发明专利，专利号：ZL200410011821.6[12]孙伟锋，陆生礼，刘昊，时龙兴，“双栅高压P型金属氧化物半导体管”，发明专利，专利号：ZL03158282.6[13]孙伟锋，陆生礼，吴建辉，易扬波，宋慧滨，时龙兴,“多电位场极板横向高压N型金属氧化物半导体管”，发明专利，专利号：ZL200410041076.5[14]时龙兴，孙伟锋，易扬波，陆生礼,“内置保护P型高压金属氧化物半导体”，发明专利,专利号：ZL03112625.1[15]吴建辉,陆生礼,孙伟锋,时龙兴,“高压P型MOS管及其制备方法”,发明专利，专利号：ZL02112705.0[16]时龙兴,吴建辉,陆生礼,孙伟锋,“高压P型MOS管”,实用新型专利,专利号：ZL02219092.9申请的专利（16项）：[1]时龙兴，孙伟锋，李海松，陆生礼，易扬波，“低功耗CMOS型高压驱动电路”，国际发明专利，申请号：PCT/CN2004/001187[2]孙伟锋，时龙兴，易扬波，陆生礼，桑爱兵，“三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管”，发明专利，申请号：200510094030.4[3]孙伟锋，时龙兴，易扬波，陆生礼，宋慧滨，“三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管”，发明专利，申请号：200510094031.9[4]孙伟锋易扬波夏小娟徐申陆生礼时龙兴，“高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法”，发明专利，申请号：200610041322.6[5]孙伟锋易扬波李海松陆生礼时龙兴，“高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法”，发明专利，申请号：200610041323.0[6]孙伟锋易扬波夏小娟徐申陆生礼时龙兴，“高压P型金属氧化物半导体管”，实用新型，申请号：200620077465.8[7]孙伟锋易扬波李海松陆生礼时龙兴，“高压N型金属氧化物半导体管”，实用新型，申请号：200620077466.2[8]孙伟锋，李海松，李杰,易扬波，徐申，夏晓娟，时龙兴，“厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法”，发明专利，申请号：200610098372.8[9]孙伟锋，夏晓娟，徐申，李海松，谢亮，时龙兴，“红外焦平面读出电路”，发明专利，申请号：200710019476.x[10]孙伟锋，刘侠，戈喆，易杨波，陆生礼，时龙兴，“沟槽高压P型金属氧化物半导体管”，发明专利，申请号：200720035523.5[11]孙伟锋，吴虹，戈喆，易杨波，陆生礼，时龙兴，“沟槽高压N型金属氧化物半导体管”，发明专利，申请号：200710021129.0[12]孙伟锋，夏晓娟，徐申，李海松，时龙兴，“CMOS基准电压源”，发明专利，申请号：200610161587.x[13]孙伟锋，夏晓娟，谢亮，时龙兴,“CMOS基准源电路”,发明专利，申请号：200610161588.4[14]易扬波，孙伟锋，李海松，李杰,徐申，夏晓娟，时龙兴，“高压功率集成电路用少子环隔离结构”，发明专利，申请号：200610098371.3[15]易扬波，徐申，李海松，孙伟锋，夏晓娟，李杰,时龙兴，“高压功率集成电路隔离结构”，发明专利，申请号：200610098373.2[16]夏小娟，谢亮，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，“输出电压可调式CMOS基准电压源”，发明专利，申请号：200610161589.9获奖(4项)：[1]2003年获第三届“挑战杯”天堂硅谷中国大学生创业计划竞赛金奖。[2]硕士论文——《PDP选址驱动芯片设计》获得2004年江苏省优秀硕士论文。[3]PDP列驱动芯片获得2004年国家重点新产品证书。[4]指导研究生取得第二届“安捷伦”杯论文比赛特等奖。已开课程：集成电路制造基础*如果发现导师信息存在错误或者偏差，欢迎随时与我们联系，以便进行更新完善。联系方式>>

简历：1991年6月东南大学电子工程系微电子与固体电子学专业本科毕业，同年留校，先后在东南大学电子工程系微电子中心、东南大学国家专用集成电路工程技术研究中心、东南大学无锡应用科学与工程研究院

个人简历：1964年8月生，1991年硕士研究生毕业留校任教至今，从事本科教学和科研工作。先后主讲多门本科生课程，发表科研论文十余篇。工作学习简历：1982年9月-1986年7

东南大学公共卫生学院建立于1976年，是东南大学下设的二级院系之一。公共卫生学院现建有“公共卫生与预防医学”一级学科博士点；“公共卫生与预防医学”博