姓名：吴朝晖性别：男出生年月：1971年9月职称：副教授学院：电子与信息学院最后学历：博士主要研究方向：集成电路设计与系统集成吴朝晖(WuZhaohui，1971.

姓名：周晓明性别：男职称：教授学院：电子与信息学院最后学历：博士主要研究方向：电磁兼容、电磁辐射防护周晓明，男，中共党员，博士，教授。湖南衡阳人，1984年本科毕业于湖

姓名：姚若河性别：男职称：教授学院：电子与信息学院最后学历：博士主要研究方向：集成电路设计与系统集成；半导体材料及器件；微/纳电子器件模型研究姚若河，男，中共党员，博士，教授，博士研究生导师。1982年1月毕业于中山大学无线电物理专业。曾先后在电子工业部桂林电子工业学院、清华大学、北方交通大学和汕头大学工作和学习。多次应邀到香港大学、香港理工大学进行学术访问研究。现任全国信息与电子学科研究生教育委员会理事、广东省物理学会常务理事、广东省电子学会常务理事、广东省半导体与集成技术专业学会副主任。现任华南理工大学电子与信息学院副院长、微电子研究所副所长。先后主讲模拟电子技术、高频电子线路、电子线路的CAD、微机原理及应用、数字信号处理、计算微电子学和集成电路设计方法学等本科和研究生课程。已招收培养博士研究生10多名,硕士研究生80多名,在所指导的研究生中，曾获全国大学生“挑战杯”特等奖，广东省南粤优秀研究生，广东省优秀博士学位论文，广东省优秀硕士学位论文等奖励。先后主持国家自然科学基金、广东省重大科技项目、广东省自然科学基金等科研项目10多项，作为核心成员参加国家自然科学基金、国家“973”项目等9项。获省部级科研奖8项。2001年获广东省南粤优秀教师奖。已发表论文100多篇，其中被SCI、EI、ISTP检索60多次。申请专利8项（已授权5项）。目前的研究领域包括集成电路系统设计及制造、计算微电子学和新型光电器件及物理等。近年来研究生发表的部分论文:1、Z.P.Bian,R.H.Yao,et.al.Low-VoltageClass-ABCMOSOutputStagewithTunableQuiescentCurrent.IEICETrans.Electron.2010,93(5):1375-13762、J.W.Chen,R.H.Yao.EfficientMolo2n+1MultipliersforDiminished-1Representation.IETCircuitsDevicesSyst.2010,4(4):291-3003、W.J.Wu,R.H.Yao,et.al.Anewanalyticalthresholdvoltagemodelforthedopedpolysiliconthin-filmtransistors.Solid-StateElectronics，2009，53（6）：607-6124、X.Yi,X.Chen,R.Yao，Frequency-adjustableclockoscillatorbasedonfrequency-to-voltageconverter.ElectronicLetters,2009,45(11):530-5315、W.J.Wu,R.H.Yao.ASimpleModelingofDIGBLEffectforPolysiliconFilmsandPolysiliconThin-FilmTransistors.IEEE.ElectronDevicesLetters，2008，29（10）：1128-11316、Y.Liu，R.H.Yao，et.al.Aphysicalmodelwiththeeffectsofself-heatingandvariableresistanceinabove-thresholdregionforhydrogenatedamorphoussiliconthinfilmtransistor.JAPANESEJOURNALOFAPPLIEDPHYSICS,2008,47(6):4436-44407、X.Y.Duan，Y.J.Zhao,R.H.Yao.Pushingp-typeconctivityinZnOby(Zr,N)codoping:Afirst-principlesstudy.SolidStateCommunications,2008，147（5-6）：194-1978、W.J.Wu,R.H.Yao,et.al..Aphysicalmodeloffloatingbodyeffectsinpolysiliconthinfilmtransistors.Solid-StateElectronics，2008，52（6）：930-9369、Y.Lu，R.H.Yao.Low-voltageconstant-gmrail-to-railCMOSoperationalamplifierinputstage.Solid-StateElectronics，2008，52（6）：957-96110、X.Y.Duan，R.H.Yao,et.al.ThemechanismofLi,Nal-acceptorco-dopedp-typeZnO.AppliedPhysicsA，2008，91（3）：467-47211、Y.Liu，R.H.Yao，et.al.Ananalyticalmodelbasedonsurfacepotentialfora-Si:Hthinfilmtransistor.IEEEJ.DisplayTechnology，2008，4（2）：181-18712、W.J.Wu,R.H.Yao,et.al..ACompactModelforPoly-siliconTFTsLeakageCurrentincludingPoole-FrenkelEffect.IEEETrans.ElectronDevices，2007，54（11）：2975-298313、W.J.Wu,R.H.Yao,et.al.Anewextractionmethodofpoly-SiTFTmodelparametersintheleakageregion.Solid-StateElectronics，2007，51（5）：778-78314、何贵平，张弜，姚若河.Er3+和Ce3+/Ce4+掺杂-BaB2O4纳米棒的制备、结构与发光性质.物理化学学报.2010，26（3）：685-69015、姚若河陈中盟.抗谐波锁定的延时锁相环.华南理工大学学报(自然科学版),2010,38(9):1-616、许佳雄，姚若河，耿魁伟.用LambertW函数求解太阳能电池的串联电阻.华南理工大学学报(自然科学版),2010,38(6):42-4517、姚若河，欧秀平.多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.华南理工大学学报(自然科学版),2010,38(5):61-6418、陈建文,姚若河.高效的五基数剩余数至二进制数转换器设计.华南理工大学学报(自然科学版),2010,38(5):55-6019、姚若河，欧秀平.低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型.华南理工大学学报(自然科学版),2010,38(1):14-1720、侯通贤，姚若河，林晓玲.伪通孔对铜互连应力诱生空洞的影响.微电子学，2010，40（2）：295-29921、陈中盟，姚若河.分段式电流舵D/A转换器抗dL/dt噪声设计.微电子学，2010，40（1）：1-522、侯通贤，林晓玲，姚若河.互连宽度对铜互连应力可靠性的影响.微电子学，2010，40（1）：122-12523、易翔,姚若河，一种基于频率/电压变换器的高精度时钟振荡器，微电子学，2009，39（3）：344-34724、钟金广，姚若河，侯识华，基于非均匀高斯函数的无刷直流电动机模糊控制，微特电机，2009，（7）：41-4425、林晓玲，姚若河，等.SiGeHBT的热载流子效应评价.华南理工大学学报(自然科学版),2009,37(5):23-2626、刘远，姚若河，李斌.非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真.华南理工大学学报(自然科学版),2009,37(1):15-1827、邹芯遥，姚若河.支持向量机在小子样IC可靠性评估中的应用.华南理工大学学报(自然科学版),2009,37(1):23-2628、欧秀平，姚若河，吴为敬.多晶硅薄膜晶体管中的晶粒间界电荷分享效应，微电子学，2008，38（6）：796-79929、李文冠，姚若河，郭丽芳.一种2V、9μA、15×10-6/oC高电源抑制CMOS带隙电压基准源，电子器件，2008，31（5）：1490-149430、路延，姚若河.一种低电压恒定跨导Rail-to-Rail的CMOS运放输入级，电子器件，2008，31（5）：1479-148231、刘瑶，姚若河，等.ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模，微电子学，2008，38（5）：647-65132、路香香，罗宏伟，姚若河等，Esn应力下的扩散电阻及模型击穿特性，微电子学，2008，38（4）：469-47233、邹芯遥，姚若河.小子样统计理论及IC可靠性评估.控制与决策，2008,23(3):241-24534、路香香，姚若河，罗宏伟,ESD应力下的NMOSFET模型.微电子学，2007，37（6）：842-84735、林晓玲,孔学东,姚若河等.SiGeHBT器件的可靠性技术.微电子学，2007，37（2）：210-213 如果发现导师信息存在错误或者偏差，欢迎随时与我们联系，以便进行更新完善。联系方式

姓名：邓飞其性别：男职称：教授学院：自动化科学与工程学院最后学历：博士主要研究方向：控制系统的分析与集成；信息系统的分析与集成男，1983年毕业于湖南大学应用数学系，1

姓名：奚建清性别：男出生年月：1962年7月职称：教授学院：计算机科学与工程学院最后学历：博士主要研究方向：数据库系统男，汉族，1962年7月生，中共党员。

姓名：朱宁西性别：女出生年月：1964年12月职称：副教授学院：电力学院主要研究方向：工业控制计算机及嵌入式系统 女，1964年12月出生，华南理工大学电

姓名：殷瑞祥性别：男出生年月：1960年职称：教授学院：电力学院最后学历：博士主要研究方向：信号处理及电子电路新技术1960出身于江苏镇江，中共党员。1978年考入南京

姓名：李春茂性别：男职称：教授学院：电力学院最后学历：硕士主要研究方向：“电磁场理论与射频技术”、“LED技术研发与应用&rdquo

姓名：樊利民性别：女出生年月：1964年12月职称：副教授学院：电力学院最后学历：硕士主要研究方向：信号处理与电子电路新技术1964年12月出生于河南邓州。1986年7