谭毅院系：材料科学与工程学院办公电话：0411-84707583电子信箱：tanyi@dlut.e.cn tanyi10@hotmail.com 更新时间：2011-4-5其他专业：材料加工工程材料物理与化学个人简介学历情况1993年3月博士学位日本东京工业大学金属工学科1986年7月硕士学位中国大连理工大学材料工程系金属材料专业1983年7月学士学位中国大连理工大学机械工程系金属材料专业工作情况2005年7月–现在大连理工大学材料科学与工程学院教授、博士生导师大连理工大学能源研究院副院长2001年5月–2005年9月美国加州大学落衫矶校材料科学与工程系研究员1997年10月–2001年5月日本超高温材料研究所日本新能源产业技术综合开发机构产业技术研究员1998年11月–2005年7月大连理工大学兼职教授1993年6月–1997年2月日本东京国际贸易株式会社海外事业部担当1991年1月–1993年6月日本东京工业大学金属工学科客座研究员1986年7月–1991年1月大连理工大学材料工程系讲师社会兼职1.中国材料工程学会青年委员会理事2.日本金属学会会员3.美国材料工程学会会员4.中国留日同学总会材料科学分会会长，1998.8-2002.85.大连理工大学日本校友会副会长，1999.9-2001.46.第二届中国青年材料科学者年会组委会成员，日本代表团团长，杭州,1999研究领域（研究课题）1.多晶硅及多晶硅薄膜材料2.太阳能电池材料3.功能陶瓷材料硕博研究方向1.高温熔炼法制备高纯多晶硅2.载能束冶金过程中多晶硅的物理化学行为3.多晶硅纯度与电特性之间的关系4.多晶硅定向凝固行为5.多晶硅的纯度与少数载流子寿命之间的关系6.多晶硅薄膜材料的制备与评价7.AlN陶瓷材料的制备与评价出版著作和论文著作：1.谭毅、李敬锋主编，《新材料概论》，冶金工业出版社，2004，94.3万字/566页，ISBN7-5024-3462-32.李建保、李敬锋主编，谭毅等副主编，《新能源材料及其应用技术》，清华大学出版社，2005，60万字/510页，ISBN7-302-12129-X3.谭毅、王来、赵杰主编，《石化装置寿命预测与失效分析工程实例》，化学工程出版社，2007，62.2万字/392页，ISBN978-7-122-00677-6论文：1.DONGWei,WANGQiang,PENGXu,TANYi,JIANGDachuan,LIGuobin:AluminumEvaporationfromMetallurgicalSiliconinElectronBeamMeltingProcess,ChineseJournalofMaterialsResearch,24(6)(2010)592-596.董伟,王强,彭旭,谭毅,姜大川,李国斌:电子束熔炼冶金级硅除铝研究,材料研究学报,24(6)(2010)592-596.2.XiaoleiShi,YiTan,FuminXu,LaiWang:Mechanicalpropertiesofhot-pressedB4C-SiCcomposites,CeramicTransactions,220(2010)189-196.3.XiaoleiShi,YiTan,FuminXu,YaliDong,ZhijunZhang,LaiWang,XiaonaLi:MechanicalpropertiesofAl2O3-SiC-CcompositesusingpolycarbosilaneasSiCprecursor,Journalofalloyandcompounds,490(2010)484-487.4.XiaoleiShi,FuminXu,YaliDong,YiTan,LaiWang:Mechanicalpropertiesofhot-pressedAl2O3/SiCcomposites,MaterialsScienceandEngineeringA,527(2010)4646-4649.5.XiaoleiShi,YiTan,FuminXu,JiayanLi,YaliDong,LaiWang:Hot-pressedA12O3-SiC(-C)compositeswithpolycarbosilaneastheprecursor,MaterialsandDesign,31(2010)1628-1632.6.JIANGDa-chuan,DONGWei,TANYi,WANGQiang,PENGXu,LIGuo-bin:InvestigationonRemovalofAluminumImpurityinMetallurgicalGradeSiliconbyElectronBeamMelting,JournalofMaterialsEngineering,(08)(2010)8-11.姜大川,董伟,谭毅,王强,彭旭,李国斌:电子束熔炼多晶硅对杂质铝去除机制研究,材料工程,(08)(2010)8-11.7.JIANGDa-chuan,TANYi,DONGWei,WANGQiang,PENGXu,LIGuo-bin:EffectofBeamDensityofElectronBeamonPhosphorusImpurityinMetallurgicalGradeSilicon,JournalofMaterialsEngineering,(03)(2010)18-21.姜大川,谭毅,董伟,王强,彭旭,李国斌:电子束束流密度对冶金硅中杂质磷的影响,材料工程,(03)(2010)18-21.8.ZHANGLei,LIJiayan,TANYi,SUNYan:FabricationofSiliconCarbideFibersbyElectrospinning,MaterialsReview,24(4)(2010)81-83.张磊,李佳艳,谭毅,孙妍:静电纺丝法制备SiC纤维,材料导报,24(4)(2010)81-83.9.ZHANGLei,LIJiayan,TANYi,SUNYan:Micro-SizedTiO_2FibersPreparedbyElectrospinning,MaterialsforMechanicalEngineering,34(8)(2010)18-20.张磊,李佳艳,谭毅,孙妍:静电纺丝法制备TiO2纳米纤维,机械工程材料,34(8)(2010)18-20.10.WANGQiang,DONGWei,TANYi,JIANGDa-chuan,PENGXu,LIGuo-bin:Investigationontheremovalofphosphorus,aluminum,calciumfrommetallurgicalgradesiliconusingelectronbeammelting,JournalofFunctionalMaterials,41(2010)144-147.王强,董伟,谭毅,姜大川,彭旭,李国斌:电子束熔炼去除冶金级硅中磷、铝、钙的研究,功能材料,41(2010)144-147.11.PENGXu,DONGWei,TANYi,JIANGDa-chuan,WANGQiang,LIGuo-bin:Evaporationbehaviorofcalciuminmetallurgicalsiliconbyanelectronbeammeltingmethod,JournalofFunctionalMaterials,41(2010)117-120.彭旭,董伟,谭毅,姜大川,王强,李国斌:电子束熔炼冶金级硅中杂质钙的蒸发行为,功能材料,41(2010)117-120.工作成果（奖励、专利等）专利∶1.Niobiumbasedalloys,Japan,特開2001-226732(P2001-226732A)2.Compositesofniobiumbasedalloysanditsmanufactures,Japan,特開2001-226734(P2001-226734A)3.Iridium-addedniobiumbasedalloys,Japan,特開2001-226733(P2001-226733A)4.一种简单的碳/碳化硅复合材料制造方法，中国,2004，专利号CN1640847A.5.去除多晶硅中杂质磷和金属杂质的方法及装置，申请号：200810011631.8，公开号：CN101289188A，授权号：ZL200810011631.86.一种化学冶金提纯多晶硅的方法，申请号：200810011266.0，公开号：CN101311114A，授权号：ZL200810011266.07.一种去除多晶硅中杂质磷的方法及装置，申请号：200810011949.6，公开号：CN101318655A，授权号：ZL200810011949.68.一种多晶硅定向凝固设备，申请号：200810012354.2，公开号：CN101323972A，授权号：ZL200810012354.29.连续熔炼去除多晶硅中磷和硼的方法及装置，申请号：200910220059.0，公开号：CN101708850A，国际申请号：PCT/CN2010/07881710.局部蒸发去除多晶硅中硼的方法及装置，申请号：200910220058.6，公开号：CN101708849A11.一种超细粉体分离的方法，申请号：200810013247.1，公开号：CN101637743A12.一种去除工业硅中硼的方法，申请号：201010242101.1，公开号：CN101913608A13.采用电子束注入去除硅中杂质硼的方法，申请号：201010242065.9，公开号：CN101891202A14.一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法及装置，申请号：201010242118.7，公开号：CN101912973A15.一种制备低熔点焊球的方法及装置，申请号：201010242074.8，公开号：CN101934374A16.一种多晶硅熔炼的复合式加热方法及装置，申请号：201010247767.6，公开号：CN101913606A17.一种电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法，申请号：201010247815.1，公开号：CN101905886A在读学生人数24毕业学生人数17